C+L波段双偏振相干调制器芯片
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基于X切铌酸锂薄膜制备，具有尺寸小、集成度高、半波电压低、带宽大等优点。典型参数：带宽65 GHz，半波电压2.5V，消光比25 dB，工作波长1520-1610nm。应用场景：DP-QPSK、DP-16/64QAM。接受定制。
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基于X切铌酸锂薄膜制备，具有尺寸小、集成度高、半波电压低、带宽大等优点。典型参数：带宽65 GHz，半波电压2.5V，消光比25 dB，工作波长1520-1610nm。应用场景：DP-QPSK、DP-16/64QAM。接受定制。